双组合四探针方阻说明书

双组合四探针方阻说明书

KDB-3双组合测试仪是根据标准SEMI MF1529设计，双组合测试方法使用四探针的方式不同于其他ASTM测量半导体电阻率或薄层电阻的方法。在本测试方法中，在测试样品的每个测量位置上，以两种不同的方式（配置）将探针连接到提供电流和测量电压的电路中。四探针的这种使用法通常被称为“双配置"或“配置切换"测量。单组合四探针相比，用较小间距的探针头就可以进行高精度的测量，从而可获得更高的晶片薄层电阻变化的空间分辨率。 
双组合四探针方阻说明书

仪器特点如下： 
1、配有双数字表：一块数字表在测量显示硅片电阻率的同时，另一块数字表（以万分之几的精度）适时监测全过程中的电流变化，使操作更简便，测量更。 
数字电压表量程：0—199.99mV  灵敏度：10μV  输入阻抗：1000ΜΩ 
                        基本误差±(0.04-0.05%读数+0.01%满度) 
2、可测电阻率范围：10—4 —1.9×104Ω·cm。 
     可测方块电阻范围：10—3 —1.9×105Ω/□。 
3、设有电压表自动复零功能，当四探针头1、4探针间未有测量电流流过时，电压表指零，只有1、4探针接触到硅片，测量电流渡过单晶时，电压表才指示2、3探针间的电压（即电阻率）值；同样，当四探针头1、3探针间未有测量电流流过时，电压表指零，只有1、3探针接触到硅片，测量电流渡过单晶时，电压表才指示2、4探针间的电压（即电阻率）值，避免空间杂散电波对测量的干扰。 
4、流经硅片的测量电流由高度稳定（万分之五精度）的特制恒流源提供，不受气候条件的影响，整机测量精度＜3%。 
电流量程分五档：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA。 
5、仪器采用触点电阻更低（＜5mΩ）、使用寿命更长的转换开头及继电器（＞10万次），在缘电阻、电流容量方面留有更大的安全系数，提高了测试仪的可靠性和使用寿命。 
6、可选配软件进行数据采集,可进行双组合或单组合测量，实现自动切换电压档位、读取相应电压值，根据不同方法计算电阻率或方块电阻值；软件可对测量数据进行分析，如平均值，Z大值、Z小值、Z大百分变化率、平均百分变化率、径向不均匀度等内容。 
7、可配KDDJ-3电动测试架，自动上下运行，使测量更方便快捷。 
8、四探针头采用上先进的红宝石轴套导向结构，使探针的游移率减小，测量重复性提高